[FE금융경제신문=정순애 기자] 삼성전자가 반도체 비전 2030 달성을 위해 비메모리 사업 중심의 대규모 투자에 나선다.

삼성전자는 오는 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하고 1만5000명의 전문인력을 채용하기로 했다고 24일 밝혔다.

또 삼성전자는 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(Fabless, 반도체 설계 전문업체), 디자인하우스(Design House, 설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 계획이다.

삼성전자는 이같은 계획을 통해 메모리 반도체 및 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위 달성을 위한 '반도체 비전 2030'을 공개했다.

삼성전자의 반도체 비전 2030에 따르면 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자할 계획이다.

R&D 투자금액 73조원 규모로 국내 시스템 반도체 연구개발 인력 양성 기여 및 생산시설 확충 60조원 투자로 국내 설비/소재 업체 포함, 시스템 반도체 생태계 발전에 긍정적인 영향을 줄 것으로 기대하는 한편 화성캠퍼스 신규 EUV라인을 활용해 생산량 증대를 통한 국내 신규 라인 투자 지속 추진할 방침이다.

시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만5000명을 채용할 예정이다. 이는 기술경쟁력 강화를 위한 것이다.

이 같은 계획 실행시 2030년까지 연평균 11조원 R&D 및 시설투자 집행, 생산량 증가에 따른 42만명의 간접 고용유발 효과가 있을 것으로 예상하고 있다.

삼성전자는 국내 팹리스 업체 지원 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계를 강화할 방침이다.

국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력 강화 및 개발기간 단축이 가능하도록 인터페이스IP, 아날로그IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property, 설계자산)를 호혜적으로 지원하는 한편 효과적인 제품 개발을 위해 설계·불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 예정이다.

반도체 위탁생산 물량 기준 완화, 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산 적극 지원, 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회 확대 운영, 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력 등을 확대할 계획이다.