[금융경제신문=조정현 기자] SK하이닉스가 HBM 5세대인 HBM3E D램 양산에 나서며 AI 메모리 선도 기업의 위상을 재확인하고 있다.

19일 SK하이닉스에 따르면 초고성능 AI용 메모리 신제품 HBM3E가 세계에서 처음으로 양산에 들어가 이달 말부터 제품 공급이 시작된다. 이는 SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발을 공개한지 7개월 만이다.

HBM(High Bandwidth Memory)는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 AI 시스템 구성에 핵심적 역할을 하는 부품이다. 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E) 순으로 개발됐으며 HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전이다.

최근 AI가 전세계적으로 각광받고 있는 가운데 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템 구현을 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 이에 AI에 투자하고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 현존 최적의 제품으로 평가받고 있다.

HBM3E는 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 특히 HBM3E에는 극도로 빠른 속도로 작동해야 해 효과적인 발열 제어가 관건인 AI 메모리의 특성을 감안 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정이 적용됐으며, 이에 열 방출 성능이 이전 세대 대비 10% 향상됐다.

☞MR-MUF:

반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어(Warpage control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.